| 项目编号: | ITP/040/21LP |
| 项目标题: | 采用绝缘体上硅技术多类 输入能量收集集成电路 |
| 研发单位: | LSCM 研发中心 |
| 概要: | 能量收集的目标是应用收集环境能量， 为物流、可穿戴和监控等各种电子实现长电池寿命或 无电池操作。 许多应用需要各种不同的能量收集方法。 在市场上，能量收集芯片组只能收集一种输入或技术性能无法满足要求。 多输入采集的单 芯片解决方案需求强劲。 LSCM 建议应用绝缘体上硅 SOI 开发微型能量收集 IC，用于通过 不同的收集器用于小型电池或无电池设备。 绝缘体上硅 （SOI）技术相比标准CMOS 和 BiCMOS 技术 ， SOI 有多阈值电压晶体管、高过 渡频率和低基板电流泄漏的优势。 拟议的IC将包括RF电压倍增器、有源整流器和低压倍 增器输入，以促进不同采集器的广泛应用。 该电路将流片到（多项目晶圆） MPW，设计将经 过硅验证。 |
| 项目统筹员: | 黎振伟先生 |
| 资助金额: | 港币二百七十万 |
| 项目周期: | 2021年10月18日 - 2023年2月17日 |
