| 項目編號: | ITP/040/21LP |
| 項目標題: | 採用絕緣體上矽技術多類 輸入能量收集集成電路 |
| 研發單位: | LSCM研發中心 |
| 概要: | 能量收集的目標是應用收集環境能量, 為物流、可穿戴和監控等各種電子實現長電池壽命或 無電池操作。許多應用需要各種不同的能量收集方法。 在市場上，能量收集芯片組只能收集一種輸入或技術性能無法滿足要求。 多輸入採集的單 芯片解決方案需求強勁。 LSCM 建議應用絕緣體上矽 SOI 開發微型能量收集 IC，用於通過 不同的收集器用於小型電池或無電池設備。 絕緣體上矽 (SOI)技術相比標準CMOS 和 BiCMOS 技術 ， SOI有多閾值電壓晶體管、高過 渡頻率和低基板電流洩漏的優勢。擬議的 IC 將包括 RF 電壓倍增器、有源整流器和低壓倍 增器輸入，以促進不同採集器的廣泛應用。該電路將流片到(多項目晶圓 ) MPW，設計將經 過矽驗證。 |
| 項目統籌員: | 黎振偉先生 |
| 資助金額: | 港幣二百七十萬 |
| 項目週期: | 2021年10月18日 - 2023年2月17日 |
